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聽說2020年將迎來行業大復蘇,這是真的嗎?

2019-11-13 18:11 ? 次閱讀

在年中預測時,就有一些觀點認為:當渠道開始削減庫存時,往往會一下削減得太深。如果這次產業庫存大調整也是這樣的話,行業很有可能會在第四季度看到這一點。

在已經過去的第三季度,市場確實迎來了季節性上漲。(通常而言, 從夏季到年底的圣誕季,全球電子行業會經歷一場季節性的上漲。)然而,今年秋季的回升勢頭似乎并沒有理想中的那么強勁。

目前,已陸續有多家調研機構,對全球四季度半導體行業的表現以及2020的展望,提出了自己的預判:從全球經濟研判到PMI走勢,從2020年最有可能的市場推動點,到相關受益的元器件分類預測。

三季度,溫和的季節性復蘇!

根據Custer Consulting Group公司所收集的地區與企業數據所得出的最新統計顯示(截止9月份),全球電子設備出貨量在三季度出現正常化的季節性上升跡象。但同比去年增長依然略顯疲軟。根據初步數據,2019年9月全球電子設備銷售較2018年9月下降3.1%,但較2019年8月上升了13.2%(下圖)。

全球PCB出貨量也證實了第三季度所經歷的季節性增長,但尚不清楚是否會達到2018年的峰值(下圖)。

季節性上漲與復蘇的差距

該機構同時指出,如果將基于美國、歐洲、日本、臺灣/中國和韓國地區數據的全球電子設備出貨增長模型,與213家OEM公司的銷售綜合數據進行比較,可以認為人們期待已久的“電子行業復蘇”似乎至少還有3-6個月的時間窗口(下圖)。

收縮在拐角的半導體

包括全球采購經理人指數、電子設備、PCBs和半導體出貨量的月度3/12增長率仍處于收縮區間內(3/12<1),如下圖所示。

半導體設備銷售也處于轉折點

下圖以3個月的平均值顯示了全球半導體設備發貨量銷售正在好轉中。雖然,我們離2018年5月的最高點還很遠。

恢復平衡的PMI指標

9月份全球制造業PMI已回升至收支平衡(下圖),表明世界制造業活動擺脫收縮區域。

然而,國際貨幣基金組織(IMF)在其10月最新更新的全球預測報告中再次下調經濟增長預期。IMF指出,貿易戰將使全球經濟增長降至10年前金融危機以來的最低水平,全球商業環境仍非常脆弱,世界經濟同步放緩,前景堪憂。

?“全球經濟正在同步放緩,我們再次將2019年的增長率下調至3%,這是全球自金融危機(2008-09)以來最慢的增速,較2019年4月份的世界經濟展望預測再次下調0.3個百分點。貿易壁壘上升和地緣政治緊張局勢加劇,繼續削弱我們估計的增長,預計到2020年,經濟增長率將回升至3.4%(該數據同樣與4月份預測相比下降了0.2個百分點)。”

四季度:最是乍暖還寒時

回到元器件方面,分析機構VLSI research也肯定了三季度回暖的事實,并認為目前半導體已跳出冰凍期,逐步回暖,4季度半導體的銷售表現將有所好轉,但仍不穩定。

根據VLSI research的半導體周報顯示,與第三季度第一周相比,2019年第四季度的第一周開局表現強勁,已實現連續12周W/Q增長,這是自2017年以來從未出現過的情況,元器件的價格也有所提振。

但進到十月的第二周,情況又有所逆轉,一改先前的增長態勢。除邏輯器件是唯一保持積極的產品外,DRAM、NAND、汽車電子都表現欠佳。

在第三周,半導體市場繼續回暖勢頭明顯:與上季度同期相比繼續上漲,但依然低于去年同期,隨著行業的回暖和供應過剩狀況的改善,復蘇趨勢正在蔓延。

或許是在假日效應的帶動下,10月的最后一周,非內存市場的平均銷售價格上漲,帶動半導體市場繼續增長。由于DRAM的過剩,Memory仍表現不佳,但伴隨著市場環境的改善,總體看來2019年第四季度半導體供需將繼續改善。

進到11月, NAND和DRAM開始從大跌中復蘇。模擬與被動器件、汽車件也擴大了周漲幅。

可能推動2020年復蘇的幾大增長點

2020年,智能手機開始復蘇

在經歷2019年的出貨下跌后,市場預計智能手機的出貨量將在2020年開始復蘇。

據Digitimes Research估計,在2019-2024年的5年預測期內,受新興市場對入門級智能手機的替代需求和5G網絡商業化的推動,全球智能手機出貨量預計將以3.8%的復合年增長率增長。智能手機出貨量將在2020年開始復蘇,并在2022年有望達到15億部以上,2024年有望達到16億部。

雖然5G并未在2019年帶給智能手機太多驚喜!按DigiTimes Research的估計,2019年,支持5G的智能手機出貨量將不足1000萬部。

但在2020年將增長近20倍至1.75億部。隨著5G網絡的日益普及和相關5G服務的普及,5G手機的價格將在預測期內繼續下降,并最終在2024年將5G機型的比例提升至全球智能手機出貨量的近50%。

持相似觀點的機構不在少數,Strategy Analytics也認同:2020年5G手機的銷量將飆升。

Strategy Analytics在一份最新發布的報告中預測,盡管2019年開局乏力,5G仍具備良好的起飛條件。一旦價格下跌,2020年5G網絡建設規模擴大,增長將是迅速的。

Strategy Analytics同時估計,2019年銷售的手機中,5G設備將不到1%,但2020年這一比例將增長至近10%。到2025年,5G手機銷量將超過10億部。

服務器市場庫存消化也接近尾聲

另據DigiTimes Research的數據表明,由于客戶庫存水平較高,服務器行業2019年表現疲弱,但隨著客戶庫存消化接近尾聲,預計2020年全球服務器出貨量將同比增長5%左右。

根據DigiTimes Research最新的5年服務器預測報告,驅動服務器市場從2019年到2024年的主要因素有三個:越來越多的企業開始推動數字化轉型,人工智能應用越來越受歡迎,云數據中心公司正熱切地推廣混合云系統。

預計從2023年開始,5G數據傳輸量的激增也將提振服務器需求。

DigiTimes Research的數據顯示,從2019年到2024年,全球服務器出貨量的復合年增長率將達到6.5%。著眼于潛在的需求,微軟、亞馬遜網絡服務(AWS)、谷歌和Facebook都計劃在全球建立新的數據中心。

智能家居發力2020

徘徊在不溫不火邊緣的智能家居市場終于要火了?據Strategy Analytics預計,2019年全球智能家居市場將突破1000億美元。

據Strategy Analytics統計顯示,2019年消費者在智能家居相關硬件、服務和安裝費方面的支出將達到1030億美元,到2023年將以11%的復合年增長率增長至1570億美元。

根據《2019年全球智能家居市場》(2019 Global Smart Home Market)報告預測,2019年,設備支出將占總支出的54%,即550億美元,到2023年將以10%的復合年增長率增長至810億美元。

智能鎖市場可以說是最活躍的智能家居市場之一,僅次于智能燈具市場。由數百家初創企業點綴著競爭格局。其潛力也吸引了軟件公司、服務提供商以及硬件制造商們的加入。

Strategy Analytics同時認為,隨著競爭的加劇,智能鎖的平均售價將在未來幾年內下降。

2020年全球可穿戴設備支出將增長27%

根據Gartner公司的最新預測,到2020年,全球終端用戶在可穿戴設備上的支出將達到520億美元,比2019年增長27%。

2019年,全球可穿戴設備最終用戶支出有望達到410億美元。終端用戶將在智能手表和智能服裝上花費最多,其2020年的支出將分別增長34%和52%。

Gartner高級研究總監Ranjit Atwal表示:“更多用戶正在用智能手表取代腕帶。雖然品牌領導者蘋果和三星在智能手表領域的定價很高,但小米和華為等價格較低的廠商將用較低成本的智能手表來制衡高價的智能手表。我們預計智能手表的平均售價將在2020年至2021年間下降4.5%。”

5G吹動元器件復蘇的春風

雖然2019年的“5G元年“似乎并沒有對元器件增長發揮作用,但產業仍對5G、人工智能等技術迎來新一輪的爆發式增長保持信心。

在5G時代,智能終端的形式不再局限于智能手機,還有智能可穿戴設備、智能家電、智能網聯汽車、智能機器人等數以萬億級的終端。

無論是網絡設備升級還是終端設備的多樣化設計都要依托關鍵元器件技術的革新,這些都為電子元器件的發展帶來了新的發展機遇。

受5G驅動,2020年無源產品市場將迎來反彈

根據DigiTimes于2019年9月30日發表的文章指出,無源元件市場可能在2019年第四季度觸底,并在2020年5G商業化方面助力下逐步反彈。

報道引述消息人士的信息,MLCC制造商Yageo和Walsin的產能利用率正在出現回升跡象,而上游材料供應商Leatec Fine Ceramics和Prosperity Dielectrics、電感器生產商Chilisin Electronics和ABC Taiwan Electronics以及渠道分銷商Honey Hope Honesty,Nichidenho和Holy Stone也表示可能在第四季度晚些時候看到訂單提升。

該消息人士認為,在策略性降低庫存調整率后,兩家主要的MLCC供應商的產能利用率最近都反彈至50%以上,MLCC價格下跌可能在第四季度縮小至3-5%的范圍。

預計從10月份開始,隨著中國、美國和歐洲的傳統購物季,對筆記本和PC等消費電子設備需求的提升,MLCC的需求也將出現增長,但需求是否會因英特爾CPU短缺的重現而受到影響,還有待觀察。

另據半導體供應來源顯示,預計到2020年,全球5G智能手機出貨量將從2019年的1000萬部左右猛增至1.4-2億部,這將大大推動包括MLCC、感應器和天線在內的各種無源元件的需求,僅MLCC的需求量在2020年可能同比增長20%。

預計2020年及以后,5G基礎設施和工業控制應用領域對中低容量MLCC的市場需求將穩步增長。已有公司投入巨資開發LTCC(低溫共燒陶瓷)加工技術和陶瓷天線,尋求從5G射頻(Radio Frequency)應用中發掘商機。

5G加速手機RF前端成長

根據Yole Développement(Yole)的最新報告顯示,2018年至2025年間,射頻前端市場的復合年增長率為8%。Yole的RF團隊表示,2018年該市場接近150億美元,而到2025年,將達到258億美元。

Yole的技術與市場分析師Antoine Bonnabel稱:“預計2018-2025年集成模塊的復合年增長率將達到8%,而同期分立部件的復合年增長率將達到9%。在分立部件中,天線調諧器將以13%的復合年增長率達到最快增長,因為實現更高的頻帶和4×4 MIMO的組合,導致天線/天線調諧器的數量不斷增加。”

除了RF前端外,行業也同時看好在 5G 拉動下的 PCB 新行情,認為5 G將成為未來3年PCB行業的核心推動力。

微處理器銷售有望于2020年小幅反彈

據IC Insights最新預測介紹,由于智能手機出貨疲軟、數據中心電腦庫存過剩以及美中貿易戰的全球影響,微處理器市場在2010年至2018年間,連續9年創下年度銷售新高的記錄,將在今年被打破,預計年底全球MPU收入將下降4%,至773億美元左右。

但根據IC Insights在2019年McClean報告的年中更新版中,對MPU的展望并預計2020年微處理器銷量將溫和反彈,增長2.7%至793億美元(下圖),隨后預計在2021年達到創紀錄的約823億美元水平。

南亞科總裁預計DRAM價格將在2020年反彈

在10月份營運狀況的發布會上,存儲器廠南亞科技總經理李培瑛表示,雖然服務器DRAM需求開始有起色,出貨量正在上揚,但總體市場仍然低迷,未來庫存去化仍是重點。

而就第4季的整體情況分析,李培瑛指出,總體經濟不確定性仍將持續。而在第3季旺季效應在出貨量上揚,庫存降低的情況下,加上云端服務器需求逐漸增加,手機新機搭載量成長,個人電腦出貨量下半年優于上半年,消費型電子產品需求穩定,這使得預期第4季DRAM供需平穩,價格持平或小幅漲跌。

另外,李培瑛還強調,因為大廠的庫存消化已達健康水位,且至少還有兩家廠商醞釀價格反彈,加上2020年在廠商的資本支出方面又偏保守,預計2020年市況一定會反轉,只是時間點仍待進一步觀察。

不過,根據調查研究單位集邦咨詢(TrendForce)的說法,近期DRAM價漲主要是日本強化管制電子材料出口消息所致,但韓國DRAM廠生產實際上并未受到影響,所以如今價格回檔,預計2019年第4季合約價將跌5%,且可能會延續到2020年第1季。


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的頭像 汽車玩家 發表于 01-09 11:49 ? 425次 閱讀
鎧俠NAND Flash廠房火災預計對生產沒影響

中微中標9臺長江存儲蝕刻機,國產半導體設備也很好

紫光旗下的長江存儲在2019年9月份正式量產了國內首個64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯....
的頭像 汽車玩家 發表于 01-09 09:38 ? 739次 閱讀
中微中標9臺長江存儲蝕刻機,國產半導體設備也很好

MOS管的基礎知識合集免費下載

MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(M....
發表于 01-09 08:00 ? 144次 閱讀
MOS管的基礎知識合集免費下載

RFID應用系統的電子標簽防碰撞算法研究說明

 電子標簽防碰撞是RFID 應用系統中的關鍵問題之一。解決這個問題可以采用時分多路存取技術, 其相關....
發表于 01-08 17:14 ? 63次 閱讀
RFID應用系統的電子標簽防碰撞算法研究說明

通過RS485串口實現開關信號的多點監測,提高總線的穩定性

工業現場經常要采集多點數據,模擬信號或開關信號,一般用到RS485總線,使用一主帶多從的通信方式,該....
的頭像 牽手一起夢 發表于 01-08 16:22 ? 522次 閱讀
通過RS485串口實現開關信號的多點監測,提高總線的穩定性

旺宏進入產業淡季但年增率仍達30.3% 整體產品力獲得提升

旺宏昨(7)日公布去年12月營收為26.63億元(新臺幣,下同),月減18.1%,主因客戶備貨高峰已....
的頭像 半導體動態 發表于 01-08 16:17 ? 434次 閱讀
旺宏進入產業淡季但年增率仍達30.3% 整體產品力獲得提升

LDPC碼硬件仿真平臺的構建及驗證LDPC碼在UWB通信中的性能

由于并行解碼性能與串行解碼在性能上并無差別,只是占用更多的硬件資源來換取更快的速度,并且每一種并行結....
的頭像 牽手一起夢 發表于 01-08 15:47 ? 375次 閱讀
LDPC碼硬件仿真平臺的構建及驗證LDPC碼在UWB通信中的性能

中國半導體產業想成為世界第一 少不了政府的出手幫忙

特朗普上臺后便采取各種手段制裁中國經濟,從中興到華為,美國遏制中國芯片業發展的意圖如同司馬昭之心,路....
的頭像 lyj159 發表于 01-08 15:42 ? 744次 閱讀
中國半導體產業想成為世界第一 少不了政府的出手幫忙

三星斷電后鎧俠失火 存儲器價格上漲速度或將加快

近期,全球記憶體產業似乎不平靜。2019 年 12 月 31 日跨年夜當天,南韓三星旗下位于華城園區....
發表于 01-08 15:06 ? 100次 閱讀
三星斷電后鎧俠失火 存儲器價格上漲速度或將加快

鎧俠日本晶圓6廠起火,或影響NAND Flash的供貨與價格

鎧俠對客戶發出通知,指2020年1月7日上午6點10分,該公司位于日本三重縣四日市的Fab6工廠,內....
的頭像 汽車玩家 發表于 01-08 11:43 ? 866次 閱讀
鎧俠日本晶圓6廠起火,或影響NAND Flash的供貨與價格

靜電敏感器件有哪些事項主要特別注意

人們常把對靜電反應敏感的電子器件稱為靜電敏感器件(static,sensitive device簡稱....
的頭像 牽手一起夢 發表于 01-08 11:37 ? 562次 閱讀
靜電敏感器件有哪些事項主要特別注意

三星2019年營業利潤同比下降52.9%,今年將逐漸轉好

據韓聯社報道,三星電子8日發布業績報告,初步核實公司2019年全年營業利潤為27.7萬億韓元(約合人....
的頭像 汽車玩家 發表于 01-08 11:26 ? 640次 閱讀
三星2019年營業利潤同比下降52.9%,今年將逐漸轉好

如何區分高度本征和高度補償半導體?

如何區分高度本征和高度補償半導體?
發表于 11-26 15:00 ? 459次 閱讀
如何區分高度本征和高度補償半導體?

存儲器的編碼方法

一種存儲器的編碼方法,應用于包含存儲器的裝置,存儲器中包含第一存儲體、第二存儲體和第三存儲體,包括:獲取存儲器的帶寬信息...
發表于 11-15 15:44 ? 530次 閱讀
存儲器的編碼方法

ROHM BR24T系列 EEPROM存儲器

ROHM EEPROM支持SPI總線接口,串行3線接口和2線I2C接口方法。輸入電壓范圍:1.6V~5.5V;2.5V~5.5V;2.7V~5....
發表于 11-15 09:16 ? 213次 閱讀
ROHM BR24T系列 EEPROM存儲器

電力半導體模塊有什么特點?

模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結,用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料,...
發表于 11-11 09:02 ? 1223次 閱讀
電力半導體模塊有什么特點?

新手求教,怎么系統的學習一下存儲器這個方向的知識?等待中。。。

就是想系統學習下存儲器這方面的知識,零散的學習總覺得不對胃口。感謝大神知識。 先看什么書籍后看什么  謝謝 ...
發表于 11-10 13:48 ? 472次 閱讀
新手求教,怎么系統的學習一下存儲器這個方向的知識?等待中。。。

如何設計抗SEU存儲器電路中的FPGA?

隨著我國航空航天事業的迅猛發展,衛星的應用越來越廣泛。然而,太空環境復雜多變,其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子,它們...
發表于 11-08 07:57 ? 103次 閱讀
如何設計抗SEU存儲器電路中的FPGA?

壓力傳感器的應用前景在哪里?

傳感器技術是現代測量和自動化系統的重要技術之一,從宇宙開發到海底探秘,從生產的過程控制到現代文明生活,幾乎每一項技術都離不開...
發表于 11-08 07:29 ? 219次 閱讀
壓力傳感器的應用前景在哪里?

如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?

你好, 繼續這條消息: 我要將數據矩陣存儲在fpga而不是LUT的塊存儲器中作為內存! 因為基于我編寫的代碼中的上述鏈接,...
發表于 11-07 07:30 ? 178次 閱讀
如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?

精密組件,半導體和材料測量的新標準

A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...
發表于 11-06 14:21 ? 151次 閱讀
精密組件,半導體和材料測量的新標準

DS2430A有什么基本結構?

DS2430A是256位一線式EE-PROM,具有3引腳TO-92小體積封裝形式或6引腳TSOC表面貼封裝形式,能安裝到印制電路板上或...
發表于 11-06 07:24 ? 220次 閱讀
DS2430A有什么基本結構?

LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2線串行接口EEPROM。它結合了我們公司的高性能CMOS EEPROM技術,實現了高速和高可靠性。該器件與I 2 C存儲器協議兼容;因此,它最適合需要小規模可重寫非易失性參數存儲器的應用程序。 特性 優勢 單電源電壓:1.7V至3.6V(讀取) 低功耗 擦除/寫入周期:10 5 周期(頁面寫入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作溫度:-40至+ 85°C 接口:雙線串行接口(I 2 C總線) 工作時鐘頻率:400kHz 低功耗:待機: 2μA( max)有效(讀取):0.5mA(最大值) 自動頁面寫入模式:16字節 閱讀模式:順序閱讀和隨機閱讀 數據保留期:20年 上拉電阻:WP引腳上帶有內置上拉電阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 應用 手機相機模塊 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:23 ? 32次 閱讀
LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驅動器,適用于占空比為 1 至 32 的多路復用系統。 每個通道都具有單獨可調的 65536 步長脈寬調制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位顯示存儲器以提升視覺刷新率,同時降低 GS 數據寫入頻率。輸出通道分為三組,每組含 16 個通道。 各組都具有 512 步長顏色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大電流值可通過 8 步長全局亮度控制 (BC) 功能設置。 CC 和 BC 可用于調節 LED 驅動器之間的亮度偏差。 可通過一個串行接口端口訪問 GS、CC 和 BC 數據。如需應用手冊:,請通過電子郵件發送請求。TLC5958 有一個錯誤標志:LED 開路檢測 (LOD),可通過串行接口端口讀取。 TLC5958 還具有節電模式,可在全部輸出關閉后將總流耗設為 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌電流輸出具有最大亮度控制 (BC)/最大顏色亮度控制 (CC) 數據的灌電流: 5VCC 時為 25mA 3.3VCC 時為 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步長) 每個顏色組的顏色亮度控制 (CC):9 位(512 步長),三組使用多路復用增強型光譜 (ES) PWM 進行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路復用的 48K 位灰度數據...
發表于 04-18 20:08 ? 173次 閱讀
TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
發表于 04-18 20:05 ? 64次 閱讀
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
發表于 04-18 20:05 ? 55次 閱讀
TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
發表于 04-18 20:05 ? 75次 閱讀
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 126次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 16次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
發表于 04-18 19:35 ? 14次 閱讀
AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 20次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 18次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 16次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 24次 閱讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
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AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
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AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
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AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
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AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
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CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
太子心经三肖中特